檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "莊敏宏".ccommittee (精準) and year="97"
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使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅鎂薄膜已成功的被製作。本論文將使用反應氣體氧氣參與離子束濺鍍Mg0.1Zn0.9金屬靶材，以（111）矽基板溫度360、400及500℃成長氧化鋅鎂薄膜MgxZn1-…
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分光功率器目前被廣泛地應用在光電積體電路上，諸如光訊號的傳輸、多工、解多工、放大、接收和保護…等，在本論文中以5um厚的SOI為設計平台，分別提出兩種新穎的多模干涉器及方向耦合器來達到分光能量功能，…
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由於矽廣泛地被應用於微電子產業，絕緣層覆矽(SOI)平台不僅可成為低功率消耗及高速度特性之光學與電子學應用的共通基板，而且也被證明可與互補式金屬氧化物半導體(CMOS）的標準製程相容。相對於傳統的二…
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本文使用反應式離子束濺鍍沉積法，在晶向(100)的矽基板上成長氧化鋅薄膜，觀察不同成長溫度、氧通量和基板偏壓對薄膜造成的影響。300℃時，有弱的近能隙發光和強的綠光缺陷發光；500℃時，有強的近能隙…
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以離子濺鍍法，在沈積氧化鋅薄膜同時，除了通入氬氣作為轟擊靶材之離子源，也直接加入氮氣，可將氮摻雜到氧化鋅薄膜，形成摻氮氧化鋅(ZnO:N)。以XRD分析成長溫度為300C之摻氮氧化鋅薄膜中只有氧化…